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描述：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐主要適用于粉料、顆粒的燒結，并分成動態(tài)與靜態(tài)燒結二大系列，動態(tài)燒結使 物料受熱更均勻、燒結時間縮短等優(yōu)勢。
| 品牌 | 邦世達 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環(huán)保,化工,生物產業(yè),制藥/生物制藥,綜合 | 電壓 | 380V+220V |
| 額定溫度 | 1100℃ | 使用溫度 | ≤1000℃(可調) |
產品名稱：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐
一、概述
爐管可選擇配置耐熱鋼、石英玻璃、陶瓷管等材料。
可分為單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等多種管式爐型。
二、規(guī)格、型號
型號：BGS-10-11
爐管尺寸：?133×1200mm(外徑X長度)
爐管材質：SUS310S不銹鋼
燒結時間：可根據(jù)產品工藝調節(jié)
爐體表面溫升：≤45℃(與環(huán)境溫度)
三、技術參數(shù)
額定功率：≈10KW(實際功率由儀表自動控制調節(jié))
控制精度：±1℃(恒溫狀態(tài)下)
升溫速率：0-15℃/min
爐腔及保溫材料：氧化鋁陶瓷纖維
控制方式：可控硅移相調壓
注：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐等其他型號規(guī)格可以根據(jù)用戶實際需求設計，價格僅參考，歡迎咨詢詳談。
